【摘 要】
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用射频溅射系统制备了c-BN薄膜,并且用离子注入的方法在c-BN薄膜中注入Be,制备了p-c-BN/pSi薄膜同型异质结,并研究了异质结的电学性质.注入Be的c-BN薄膜是采用传统的13.56MHz射频溅射系统,用hBN(纯度为99.8﹪)为靶材,在p型Si(100)衬底上沉积得到的.离子注入时,注入离子的能量为100keV,注入剂量为1015ions/cm2.薄膜注入后经800℃退火后,在异质结
【机 构】
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北京工业大学,材料学院,北京,100022 兰州大学,物理学院,甘肃,兰州,730000
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用射频溅射系统制备了c-BN薄膜,并且用离子注入的方法在c-BN薄膜中注入Be,制备了p-c-BN/pSi薄膜同型异质结,并研究了异质结的电学性质.注入Be的c-BN薄膜是采用传统的13.56MHz射频溅射系统,用hBN(纯度为99.8﹪)为靶材,在p型Si(100)衬底上沉积得到的.离子注入时,注入离子的能量为100keV,注入剂量为1015ions/cm2.薄膜注入后经800℃退火后,在异质结表面蒸镀了2mm×5mm铝电极.测量了其电学性质.实验结果表明:离子注入掺杂后制备的p-c-BN/p-Si同型异质结的I-V曲线具有明显的整流特性,其正向导电特性的拟合结果表明,异质结的电流电压方程接近二极管电流电压方程.计算得到c-BN薄膜层中的受主浓度为2.04×1013/cm3.。
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