【摘 要】
：
矩阵乘法是信息处理领域的常见计算，该文设计并实现了一个可自由配置的浮点矩阵乘法IP核，可满足不同计算场合的需求。该IP核采用并行结构设计，使用AXI接口，可通过参数配置实现任意维矩阵乘法，并在嵌入式系统设计中灵活调用，在Xilinx 7系列芯片的FPGA平台上进行验证了。实验结果证明了该浮点矩阵乘法IP核相对于传统乘法器设计具有计算速度快、移植性能好、资源利用少等特点。
论文部分内容阅读
矩阵乘法是信息处理领域的常见计算，该文设计并实现了一个可自由配置的浮点矩阵乘法IP核，可满足不同计算场合的需求。该IP核采用并行结构设计，使用AXI接口，可通过参数配置实现任意维矩阵乘法，并在嵌入式系统设计中灵活调用，在Xilinx 7系列芯片的FPGA平台上进行验证了。实验结果证明了该浮点矩阵乘法IP核相对于传统乘法器设计具有计算速度快、移植性能好、资源利用少等特点。
其他文献
大量的研究表明,通过对SiNW-FET表面进行特殊功能分子的修饰,SiNW能够对蛋白质、DNA、病毒,甚至细胞实现高灵敏度检测,然而微弱的信号和大的噪声对检测造成了不利的影响。我们利用DRIE刻蚀和HNA腐蚀混合的方法,实现了多纳米线平行的生物检测传感器。这种传感器的纳米线呈5列7排,共35根,共用源漏。制备方法如下：首先制备5列纳米线的硬掩模。之后采用7次Bosch干法刻蚀循环,通过SF6和C4
HNA(氢氟酸+硝酸+醋酸)各向同性硅腐蚀工艺是一种重要的MEMS体微加工方法，常用于硅片减薄、针尖制作、空腔腐蚀等.本课题以HNA深孔腐蚀为目标，在分析腐蚀液流动模式和反应物生成物输运方式的基础上，使用fluent仿真软件建立了流体模型，研究了HNA深孔腐蚀机理.设计、制作、并且实现了具有高掩膜选择比和良好均匀性的HNA深孔腐蚀系统，为复杂MEMS结构制备提供了一条有效技术途径.4寸基片深孔腐蚀
生物分子的实时信号测量是生物学家们一直梦寐以求的一种技术，现在的AFM、TEM等方式只能获得静态分子状态信息，而很多生物化学传感工作还侧重于物质浓度检测，而非对生物分子本身信息的探测。目前这个领域是一个机遇，纳米线场效应晶体管是解决这个问题的可行技术，已经有了一些进展，还有很多困难。
本文首次使用冰打印这一创新性工艺方法，将蛋白质阵列和微流道结构相结合。冰打印技术的低温条件和无污染环境非常适合于生物器件的制造。利用冰打印技术，蛋白质可以在流道制作的过程中就被集成到器件当中，相比于传统的MEMS加工方法，具有易集成、样品定位精度高等特点。同时，通过使用我们自己搭建的并打印系统，使得生物器件可以大规模自动化生产。本文展示了利用该技术制造的免疫蛋白质检测阵列并给出了其检测结果。
随着半导体技术的进步,将更多的功能集成在单个片上系统(SoC)中变得可行。视觉芯片作为一种重要的SoC,在单个芯片上集成了图像传感器和多级异构并行图像处理器。在过去几十年中,基于大规模并行处理器的更高性能SoC的需求显着增加。视觉芯片中的异构并行图像处理器的设计变得异常复杂。因此,芯片验证对于验证团队来说变成一项非常具有挑战性的任务。许多论文报告了功能验证和形式验证等技术,但是调试任务需要消耗更多
Single photon sources in the optical communication band are very important for optical fiber-based quantum information.Single self-assembled semiconductor quantum dots (QDs) are attractive candidates
热电器件由于其结构简单,可靠性好,无污染等优点,在微电子、能源等领域具有广泛的应用。探索具有高热电优值(ZT)的新材料是近些年来的研究热点。超晶格材料由于其独特的量子限制效应和声子界面散射,ZT值比块体材料大幅度提高。而锑化物二类超晶格与传统超晶格不同,其禁带呈错开状,由此又可以带来热电性能新的变化。本文阐述了锑化物二类超晶格的能带结构以及能够获得高ZT值的优势,介绍了其热电机理和研究进展,以及当
回音壁模式(WGM)微腔激光器由于其高品质因子和小的模式体积在片上集成中作为一个很好的光子限制结构，并引起了人们极大地兴趣.在本文中，我们实验上和理论上研究了光注入微腔激光器的非线性动力学和分叉现象.特别的，我们观察到在Hopf分叉附近单周期振荡区域对频率失谐的扰动不敏感，这对微波信号的产生很有利. 在强光注入下直接调制带宽增强到38GHz. 此外，我们数值上研究了单周期和混沌振荡现象，表明增强模
通过一种简单的气相沉积法，高质量的CdS分枝纳米线被一步制备而成，并对于其生长机理进行了相应的讨论.单根的CdS分枝纳米线被分别组装到硅基和柔性衬底上，从而得到刚性和柔性的可见光光电探测器.研究发现，基于SiO2/Si衬底的CdS分枝纳米线光电探测器展现出了超高的光暗电流开关比(高达1.96× 104)，比先前报道的CdS纳米结构光电探测器高出了几个量级，同时器件还具备高的比探测率(4.27×10
In this paper, the piezoelectric coefficient d33 of AlN thin films for MEMS applications was studied by the piezoresponse force microscopy (PFM) measurement and finite element method (FEM) simulation.