由于在变形和旋转上的灵活性，四面体结构单元在传递氧离子上显示了一定的优势[1]。和间隙氧离子缺陷比较，氧空位很难在基于四面体的结构中稳定并发生迁移。孤立四面体阴离子白钨矿结构以往显示出间隙氧离子导电，但氧空位被发现难以在该结构中稳定并发生迁移。本工作中，我们利用粉末衍射，固态核磁共振谱，第一性原理计算，分子动态模拟等多个互补性的手段阐述了在孤立四面体阴离子白钨矿结构BiVO4中Sr对Bi的取代制造的氧空位是如何稳定并发生迁移：氧空位通过形成共顶点V2O7二聚体稳定在结构中并通过V2O7二聚体连续的断裂和重新形成的协同过程来发生迁移[2]。这种氧空位在孤立四面体阴离子白钨矿结构中稳定和迁移机制有助于在基于四面体的结构类型中探索新的氧离子导体。