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本文中的电路采用共源共栅结构作为负载结构,设计并实现了一个高性能的CMOS带隙电流源.此电路基于Charlerd COMS 0.35混合信号模型的仿真结果表明电路的输出电流在0℃-80℃的温度范围内温度系数为9.792ppm/℃.此电路版图已提交ChartcrdCOMS0.35流片.
高性能CMOS带隙电流源的设计与分析
【摘 要】
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本文中的电路采用共源共栅结构作为负载结构,设计并实现了一个高性能的CMOS带隙电流源.此电路基于Charlerd COMS 0.35混合信号模型的仿真结果表明电路的输出电流在0℃-80℃的
【机 构】
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西安电子科技大学电子学院,西安 710071 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 苏州 215125
【出 处】
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2008年(第十届)中国科协年会
【发表日期】
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2008年期
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