【摘 要】
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半导体材料薄膜的侧向光伏效应是当前的光伏研究热点之一.而SnSe是一种重要的Ⅳ-Ⅵ族半导体,其体相材料的间接带隙为0.90 eV,直接带隙为1.30 eV,可以吸收太阳光谱的绝大部分；作为一种含量丰富、环境友好且化学稳定的半导体材料,是很好的光伏材料.本文使用PLD方法在Si衬底上生长了SnSe的单晶薄膜,并对其侧向光伏(LPE)、弛豫时间、Ⅰ-Ⅴ特性进行了测试,对本材料的光伏产生的原理,及其内部
【机 构】
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哈尔滨工业大学物理系,哈尔滨 150080 哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所,哈尔滨 15000
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半导体材料薄膜的侧向光伏效应是当前的光伏研究热点之一.而SnSe是一种重要的Ⅳ-Ⅵ族半导体,其体相材料的间接带隙为0.90 eV,直接带隙为1.30 eV,可以吸收太阳光谱的绝大部分；作为一种含量丰富、环境友好且化学稳定的半导体材料,是很好的光伏材料.本文使用PLD方法在Si衬底上生长了SnSe的单晶薄膜,并对其侧向光伏(LPE)、弛豫时间、Ⅰ-Ⅴ特性进行了测试,对本材料的光伏产生的原理,及其内部载流子输运的过程进行了探讨.
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具有连续周期性结构的向列相液晶薄膜可以作为偏振光栅，这种结构的液晶偏振光栅(LCPG)可通过两束正交圆偏振的紫外激光束在偏振敏感的光取向材料上的全息干涉制得.液晶偏振光栅有如下特性，一束光通过液晶偏振光栅时只能被衍射到零级和正负一级，当液晶层的膜厚d=λ/2△n时，零级的通过率为零；此外，当入射光为右旋圆偏振光时，所有的入射光将被衍射到正一级，当入射光为左旋圆偏振光时，所有的入射光将被衍射到负一级
二氧化钒会在68oC由绝缘体相转化为金属相,即金属绝缘体相变.由绝缘体相转化为金属相时,二氧化钒会沿金属相的c轴缩短约1％,所以沿c轴的压应变会稳定金属相,降低绝缘体相转化为金属相的相变温度,使其在低于68oC时发生相变；反之,沿c轴的拉应力则会稳定绝缘体相,升高绝缘体相转化为金属相的温度.基于此,人们可以利用应变工程调控二氧化钒的金属绝缘体相变.图1中展示了如何利用应变工程调控相变的临界温度和金
XFEL与物质相互作用产生使物质达到奇异态--空心原子.利用基于独立粒子波函数的相对论组态相互作用的F.A.C(The Flexible Atomic Code)原子程序，计算Ne元素在光子能量为2000eV的XFEL轰击下光电离截面，以及俄歇速率.并将光电离截面转化为光电离速率.通过光电离过程与俄歇过程相互比较，得到电离路径图，解释了Ne在XFEL轰击实验中产生空心原子[1]电离路径的机制.
通过固相反应法制备了稀土元素Gd掺杂的反钙钛矿化合物Mn3Cu1-xGdxN,结构精修结果表明此化合物在室温下为立方晶体结构,空间群为Pm-3m,Mn原子占据晶胞面心位置,N原子占据晶胞体心位置,Cu原子与Gd原子随机占据晶胞顶角位置。场冷-零场冷磁性测试结果显示,Gd原子的引入使材料在TC处发生铁磁-顺磁相变后继续降温又出现第二次磁相变,相变温度定义为T*。
通过固相反应法合成制备了Nb掺杂的Mn3Ag1-xNbxN.XRD测试结果显示当掺杂量x≤0.05时材料为具有立方结构的反钙钛矿相，当掺杂量x超过0.05时材料中将出现NbAg合金杂相.场冷-零场冷磁性曲线表明Mn3Ag1-xNbxN在5～300 K温区内随着温度降低首先发生顺磁-反铁磁相变，继续降温在低温下可以观察到自旋玻璃态.
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