【摘 要】
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随着微电子技术及MEMS技术的发展,微型温差电器件在近年来得到了快速的发展,薄膜温差电材料的研究更是得到广泛关注。目前,低温范围性能最佳的温差电材料仍然是BiTe掺杂化合
【机 构】
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天津大学化工学院应用化学系,天津,300072
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随着微电子技术及MEMS技术的发展,微型温差电器件在近年来得到了快速的发展,薄膜温差电材料的研究更是得到广泛关注。目前,低温范围性能最佳的温差电材料仍然是Bi<,2>Te<,3>掺杂化合物及其衍生物。其中,Bi<,2>Te<,2.7>Se<,0.3>及Bi<,0.5>Sb<,1.5>Te<,3>三元温差电材料因具有较高的ZT值,更是成为温差电器件中N、P单体材料的首选。薄膜温差电材料的制备方法一般有化学法及物理法。本论文采用三电极、二回路的电化学测试体系，通过测Sb(Ⅲ)在Au电极上的循环伏安曲线(CV)以及电化学阻抗(EIS)，研究了Sb(Ⅲ)在Au电极上的电化学还原过程。
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