【摘 要】
:
多芯片组件具有组装密度高、信号延迟小和多功能等优点,是混合微电子技术发展到高级阶段的产物,目前正从2D-MCM走向3D-MCM.本文简要介绍了三维多芯片组件的优点和几种实现形式.
【机 构】
:
电子43所(合肥) 电子科技大学(成都)
【出 处】
:
中国电子学会第十二届电子元件学术年会
论文部分内容阅读
多芯片组件具有组装密度高、信号延迟小和多功能等优点,是混合微电子技术发展到高级阶段的产物,目前正从2D-MCM走向3D-MCM.本文简要介绍了三维多芯片组件的优点和几种实现形式.
其他文献
多芯片组件(MCM)作为一种新技术正在迅速发展,随着组装密度的不断提高,IC集成度的提高,MCM的功率密度越来越大.为了改善器件的散热,提高可靠性,要求功率MCM所用的多层基板应具有高的异热性.本研究采用AIN流延生瓷片与钨(W)高温共烧的方法,成功的制备出了高热导率的AIN多层陶瓷基板,完全满足高功率MCM的使用要求.
本文从我国的程控交换机市场说起,论述了近十年来使用在交换机中的有源器件PCB式通信继电器的演变及现状,并试图讨论为适应未来一二十年里程控交换机的前进步伐,我国的PCB式通信继电器将如何发展.
文章从光纤器件是光纤通信网络建设的基石、它的发展导致了光纤通信技术和产业的迅猛发展、它的进一步突破将会掀起光纤通信发展的新高潮等几方面说明光纤器件在光纤通信中的作用及其技术和产业发展的必然性;然后综述了光纤器件的产业现状和技术走向.
介绍了数字化电子产品和对元器件发展的影响,介绍了适应数字化电子产品发展的几种新型电子元器件和材料,提出了电子元件行业加快结构调整的建议.
第三代(3G)移动通信对通信设备提出了新的要求.本文对3G移动通信中相关射频元器件的现状和研发进展进行简要分析和概括、同时报道了一些最近的研究成果.
分立无源元件集成化是未来发展的必然趋势.本文论述了无源元件集成化的途径和方法,介绍了无源元件集成化开发现状,指出了今后的发展趋势.
本文对纳米电子器件原理、应用及发展情况做了简要的介绍,包括单电子器件、隧道共振电子器件、自旋电子器件、分子电子器件、纳米碳管器件以及纳机电系统.
现有研究表明,尘土与腐蚀会对电信传输的质量造成影响,其在直流条件下造成的接触电阻的变化已经得到广泛的研究.随着数据传输速度的提度,触点的高频特性正逐渐成为人们关注的目标,与其有关的寄生参数,如接触电容、接触电感等对传输质量有可能造成的影响也得到初步的研究.本文致力于对接触点处的接触阻抗进行测试,说明了采用阻抗分析仪对接触特性进行分析的有关方法以及有关测试结果.测试结果表明,接触阻抗随触点的表面状况
作为电触点镀层的新型复合材料金和超微细金刚砂已经研制出来.在样品中对镀薄金和掺超微细金刚砂的镀金层的接触电阻、显微硬度、耐磨性能和微型结构进行研究.结果发现薄膜金镀层中的金刚砂含量为百分之0.1~1.5时,减小了颗粒尺寸,提高了显微硬度,使表面平整均匀,电接触耐磨性能也增加2~3倍,接触电阻也大大地降低了.通过周期电流的程控方式进行电镀已获得了性能更为完善的薄膜复合材料.
论文介绍了已被国军标GJB/Z 299B-98所采用的一种新的固体继电器可靠性预计方法的提出过程、构架,基本失效率和各调整系数的取值,进行了不同方法的预计结果分析,并提出一步修改建议.