磁调制半导体纳米结构中电子Goos-H(a)nchen效应与空间自旋分裂器件

来源 :2017全国纳米材料与纳米科技会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dingyibin1

【摘要】

：

当光波束入射到介质分界面时，反射光束将经历一个侧向的移动，这种现象称为Goos-H(a)nchen效应，其中侧向移动称为GH移动(GH shift)或侧向位移(lateral displacement)。由于波动性，电子通过半导体纳米结构时也会发生Goos-H(a)nchen效应，透射电子将产生侧向位移。

【作者】

：

卢卯旺

【出处】

：

2017全国纳米材料与纳米科技会议

【发表日期】

：

2017年11期

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