【摘 要】
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利用纳秒脉冲强激光与高原子序数靶材作用产生准连续光谱分布的M带辐射源,研究了多种靶材(Au、Lu、Yb、Dy、Ta、Co)辐射光谱强度及分布特点,发现在Si的K吸收边(1.839 keV)附近,Lu、Yb、Dy的M带辐射是较多线谱组成的准连续谱,具有较大的光谱强度,而Au、Ta、Co在该能段主要是轫致辐射和黑体辐射,能谱光滑但强度较弱.在此基础上,我们用Lu、Yb、Dy的M带辐射源开展了Si薄膜的
【机 构】
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中国工程物理研究院流体物理研究所,四川绵阳621999
【出 处】
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2018第十二届全国爆炸力学学术会议
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利用纳秒脉冲强激光与高原子序数靶材作用产生准连续光谱分布的M带辐射源,研究了多种靶材(Au、Lu、Yb、Dy、Ta、Co)辐射光谱强度及分布特点,发现在Si的K吸收边(1.839 keV)附近,Lu、Yb、Dy的M带辐射是较多线谱组成的准连续谱,具有较大的光谱强度,而Au、Ta、Co在该能段主要是轫致辐射和黑体辐射,能谱光滑但强度较弱.在此基础上,我们用Lu、Yb、Dy的M带辐射源开展了Si薄膜的X射线近边吸收结构(X-ray absorption near-edge pectroscopy,XANES)实验,实验获得的XANES特征与通过FEFF9.0软件计算的结果基本一致.研究结果表明,激光等离子体M带辐射源可以获得具有纳秒时间分辨的XANES光谱,有望结合化爆、轻气炮、脉冲强磁场、脉冲高功率激光等动态加载手段,对材料原子尺度的动力学行为进行研究.
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