【摘 要】
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ZnSe晶体在红外波段10.6μm附近透射率为70﹪,可作二氧化钒薄膜的基片应用于激光防护领域.VO2薄膜用磁控溅射法制备,针对薄膜与ZnSe结合不好的特点,先对基片进行特殊的清洗.制
【机 构】
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哈尔滨工业大学光电子技术研究所,黑龙江,哈尔滨,150001
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ZnSe晶体在红外波段10.6μm附近透射率为70﹪,可作二氧化钒薄膜的基片应用于激光防护领域.VO2薄膜用磁控溅射法制备,针对薄膜与ZnSe结合不好的特点,先对基片进行特殊的清洗.制备时基片温度为450℃,氧氩流量比在0.104～0.117范围进行了多次实验.结果表明,氧氩流量比为0.11时有利于VO2的生成,此条件下制备的VO2含量为51.7﹪,远高于其他比值下制备的薄膜.ZnSe基片上制备的VO2薄膜在常温下波长10.6μm时透射率可达60﹪以上.
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