【摘 要】
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本文设计了一个在0.8μm BiCMOS工艺、低于1V电源电压下的带隙基准电压源,能稳定产生0.61V的基准电压.该电路中采用了一种系统失调仅912μV的新型运算放大器；采取了T型电阻网络和加入曲率补偿支路的方法,实现了大于59dB电源抑制比和-30℃至150℃范围内11.7ppm/℃的温度系数。
【机 构】
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微电子技术四川省重点实验室,四川大学物理科学与技术学院,成都,610064 电子科技大学微电子与固
【出 处】
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会
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本文设计了一个在0.8μm BiCMOS工艺、低于1V电源电压下的带隙基准电压源,能稳定产生0.61V的基准电压.该电路中采用了一种系统失调仅912μV的新型运算放大器；采取了T型电阻网络和加入曲率补偿支路的方法,实现了大于59dB电源抑制比和-30℃至150℃范围内11.7ppm/℃的温度系数。
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