【摘 要】
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主要对不同金属和工艺条件下的4H-SiC欧姆接触特性进行对比研究,从而摸索出得到良好欧姆接触的最佳工艺条件.文中介绍了欧姆接触的工艺流程,并通过TLM方法测量特征接触电阻率,测得NiCr和Ni与4H-SiC的最佳特征接触电阻率分别达到ρc=1.12×10-5Ω·cm2,ρc=2.75×10-6Ω·cm2能够很好的满足SiC器件的需要.
【出 处】
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第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会
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主要对不同金属和工艺条件下的4H-SiC欧姆接触特性进行对比研究,从而摸索出得到良好欧姆接触的最佳工艺条件.文中介绍了欧姆接触的工艺流程,并通过TLM方法测量特征接触电阻率,测得NiCr和Ni与4H-SiC的最佳特征接触电阻率分别达到ρc=1.12×10-5Ω·cm2,ρc=2.75×10-6Ω·cm2能够很好的满足SiC器件的需要.
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