基于正交设计的BiMOS运算放大器瞬时电离辐射效应影响因素分析

来源 :第八届(2012)北京核学会核应用技术学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wxj1234567
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  利用正交设计法设计了实验方案,可通过较少的实验获得满意的实验结果。在“强光一号”上对BiMOS工艺运算放大器CA3140进行了瞬时电离辐射效应实验,研究了不同因素对CA3140输出端瞬时电离辐射扰动恢复时间的影响,得到不同因素对恢复时间产生影响的主次顺序和显著水平,以及运算放大器在瞬时电离辐射环境下的最劣偏置条件。
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