硼掺杂金刚石膜的制备及电化学性能研究

来源 :第二十届中国超硬材料技术发展论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户：seryanny

【摘要】

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采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,以氧化硼-乙醇溶液作为硼源,成功制备出硼掺杂金刚石膜.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、激光拉曼光谱(Laser Raman spe

【作者】

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王梁[1] 江彩义[1] 郭胜惠[2] 高冀芸[3] 胡途[4] 杨黎[2] 彭金辉[2] 张利波[2]

【机构】

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超硬材料先进制备技术国际联合研究中心,昆明理工大学,昆明,650093;非常规冶金教育部重点实验室,昆明理工大学,昆明,650093超硬材料先进制备技术国际联合研究中心,昆明理工大学,昆明,65009

【出处】

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第二十届中国超硬材料技术发展论坛

【发表日期】

：

2016年11期

【关键词】

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硼掺杂金刚石膜微波等离子体化学气相沉积表面形貌晶体结构薄膜质量电化学性能

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采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,以氧化硼-乙醇溶液作为硼源,成功制备出硼掺杂金刚石膜.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、激光拉曼光谱(Laser Raman spectroscopy)、电化学工作站对其表面形貌、晶体结构、薄膜质量、电化学性能进行了系统的研究.实验结果表明:随着硼元素含量的增加,金刚石膜的晶体颗粒尺寸先减小后增大,电势窗口大小由3.1V降至2.6V,阳极电流密度由0.0227mA/·cm-1降至0.0119mA/·cm-1,但对背景电流及电化学可逆性几乎不影响.

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