【摘 要】
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通过采用湿法腐蚀、聚合物平坦和lift off等技术,我们成功制作出高速率1.3μm倒台形脊波导结构的无致冷AlGaInAs/InP直接调制FP激光器.对制作出的器件进行了包括高频测试的测量.结果显示器件的I为12mA,电阻为6Ω,外微分量子效率η为0.49mW/mA,小信号高频响应的3dB带宽大于10Gbit/s.
【机 构】
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武汉光迅科技有限责任公司(湖北武汉) 中科院半导体所(北京)
【出 处】
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全国第十一次光纤通信暨十二届集成光学学术会议(OFCIO2003)
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通过采用湿法腐蚀、聚合物平坦和lift off等技术,我们成功制作出高速率1.3μm倒台形脊波导结构的无致冷AlGaInAs/InP直接调制FP激光器.对制作出的器件进行了包括高频测试的测量.结果显示器件的I<,th>为12mA,电阻为6Ω,外微分量子效率η为0.49mW/mA,小信号高频响应的3dB带宽大于10Gbit/s.
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