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采用Ar+离子束对贫铀片面进行反应溅射,实验研究Ar+离子束溅射能量、入射角度对其表面粗糙度Da的影响,并与Ar+离子束刻蚀试验进行比对.结果表明,低能溅射U薄膜表面时,Ar+离子束以30°角和不同的能量入射到U表面,对于能量为0.5 keV的入射离子束,溅射原子产率和减薄速率虽低,但随着溅射时间的延长,粗糙度值愈趋变小.因此,0.5 keV Ar+离子束溅射有助于U表面粗糙度Da的减小,从而使U表面变得更光滑.此外,由于Ar+离子束的溅射能量较低,它对材料表面溅射效应深度仅限于纳米级(见图1).