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随着白光LED效率的不断提高，它已经广泛应用于固态照明。但是外延体材料高的缺陷密度限制了综合性能的不断提高，因此研究外延体材料高的缺陷密度形成机理以及原因，是降低缺陷密度和提高性能的有效手段。通过使用SEM和AFM等设备观测蓝宝石图形化衬底(PSS)上外延GaN体材料的表面、剖面，使用XRD设备得到(102)的摇摆曲线。研究了PSS的深度对反向电压(Vr)和抗静电能力的影响。使用深度为1.8μm的PSS(PSS-1.8)生长的外延片比深度为1.2μm(PSS-1.2)的光提取效率高，但是Vr相对较弱，抗静电能力相对较差。研究表明是因为深度为1.8μm的PSS(PSS-1.8)上外延GaN体材料的缺陷和位错密度高所导致。