双电子复合过程的多通道理论

来源 :第十届全国原子与分子物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hensun01
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提出了一种关于双电子复合过程的多通道理论,它是一种相对论性非微扰理论方法,能够用于任何高原子序离子的双电子复合计算。以C<4+>离子的双电子复合截面为例,计算结果与实验相比误差在10℅以内。同时,发现在283eV附近的一个很强的共振峰主要是(ls2p<1>P)3d<2>F<,5/2.7/2>两个态的贡献。但是,在以前的工作中,这个峰被标定为(ls2p<1>P)3p<2>S<,1/2>。
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