本文介绍了第一代、第二代、第三代半导体技术目前世界的发展趋势，以及中电科技集团在这三代半导体技术发展的最新成果，和在新世纪进一步的发展战略思路。以锗、硅为代表的第一代半导体，集成电路特征精度已进入100纳米，迎来SOC时代的到来；由两维加工技术向三维加工技术的发展形成了MEMS崭新领域；以GaAs、InP为代表的第二代半导体，从同质结向异质结方向发展，形成超晶格、量子阱结构，最高工作频率达到200GHz。异质结技术思路的延伸，又带动了Gesi BiCMOS的新的发展。以SiC、GaN为代表的第三代半导体的发展，将给兆瓦功率电子学、高微波功率密度和高温集成电路带来新的发展机遇。中电科技集团公司在百万门级ASIC电路设计、硅MEMS、4英寸InP单晶、6英寸GaAs单晶、GaAs、InP微波集成电路、GeSi集成电路、SiC单晶、GaN异质结器件与电路等领域均有长足发展。面对国际二十一世纪初半导体集成电路发展的挑战，将阐述中电科技集团公司在这一领域的发展思路。