【摘 要】
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采用浸渍提拉溶液沉积表面平坦化方法(SDP)在哈氏合金C276上沉积了约1 μm厚度的非晶氧化钇薄膜,通过原子力显微镜和扫描电子显微镜对薄膜进行表面分析,最优样品的表面均方根粗糙度RMS小于1nm,表面平整致密,无裂纹.成功制备了20m长的长带,并对长带进行均匀性分析,在20m范围内,薄膜的表面均方根粗糙度均小于2nm.采用离子束辅助沉积双轴织构的氧化镁薄膜(IBAD-MgO),通过X射线衍射分析
【机 构】
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电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054
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采用浸渍提拉溶液沉积表面平坦化方法(SDP)在哈氏合金C276上沉积了约1 μm厚度的非晶氧化钇薄膜,通过原子力显微镜和扫描电子显微镜对薄膜进行表面分析,最优样品的表面均方根粗糙度RMS小于1nm,表面平整致密,无裂纹.成功制备了20m长的长带,并对长带进行均匀性分析,在20m范围内,薄膜的表面均方根粗糙度均小于2nm.采用离子束辅助沉积双轴织构的氧化镁薄膜(IBAD-MgO),通过X射线衍射分析,最优MgO薄膜为纯c轴取向,面外半高宽为3°和面内半高宽为4°.
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随着高温超导研究的不断发展,超导薄膜的缓冲层种类也越来越多,本文主要研究的是在离子束辅助沉积氧化镁基底上采用射频磁控溅射方法生长二氧化铈薄膜.我们主要研究的是基底温度(450-650℃)对二氧化铈薄膜的表面形貌、微观结构和面内织构的影响.光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)的测试结果表明二氧化铈薄膜在550℃时薄膜表面非常光滑.
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