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本文对多晶硅薄膜光生载流子的迁移率、复合率以及陷获电子浓度、陷获空穴浓度等进行了理论推导.以此为理论基础,建立了一个多晶硅薄膜太阳电池计算机模型.利用该模型,模拟计算了晶界缺陷态密度、晶粒尺寸、P/T界而缺陷态密度以及陷光结构等对单结多晶硅薄膜电池性能的影响,并对模拟结果进行了讨论.
薄膜多晶硅电池的模拟计算
【摘 要】
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本文对多晶硅薄膜光生载流子的迁移率、复合率以及陷获电子浓度、陷获空穴浓度等进行了理论推导.以此为理论基础,建立了一个多晶硅薄膜太阳电池计算机模型.利用该模型,模拟计
【机 构】
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南开大学光电子所(天津)天津机电工业学校
【出 处】
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第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会
【发表日期】
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2001年9期
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