【摘 要】
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应用THz时域光谱研究了频率在0.2~2THz,(100)MgO和(100)LaAlO高温超导基片的THz波的性质.结果表明,在THz波段MgO基片材料的复折射率n和复介电系数ε随频率变化不大,LaAlO基片材料的复折射率和复介电系数随着频率的增加而略有增加.在1THz频率处,测得MgO的复折射率n=3.46+i0.001,复介电系数ε=12.37+i0.06;LaAlO的复折射率n=4.78+i
【机 构】
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首都师范大学物理系(北京) 美国伦斯勒理工学院应用物理与天文系(纽约州特洛伊市)
【出 处】
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2003年全国光电技术学术交流会暨第十六届全国红外科学技术交流会
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应用THz时域光谱研究了频率在0.2~2THz,(100)MgO和(100)LaAlO<,3>高温超导基片的THz波的性质.结果表明,在THz波段MgO基片材料的复折射率n和复介电系数ε随频率变化不大,LaAlO<,3>基片材料的复折射率和复介电系数随着频率的增加而略有增加.在1THz频率处,测得MgO的复折射率n=3.46+i0.001,复介电系数ε=12.37+i0.06;LaAlO<,3>的复折射率n=4.78+i0.02,复介电系数ε=22.5+i0.2.在THz频段,LaAlO<,3>基片的介电损耗tanδ约为MgO的5倍,且MgO和LaAlO<,3>基片的介电损耗均小于0.01,这说明MgO和LaAlO<,3>材料都昌工作于THz频段的很好的高温超导器件的基片材料.
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