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Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线高性能电子和量子器件
【机 构】
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北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室,北京,100871 Lund University,D
【出 处】
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第二十届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2015年3期
其他文献
硒化锑是一种 Ⅴ-Ⅵ化合物半导体,正交晶体结构,具有独特的结构特征：其由一维(Sb4Se6)n 无机高分子链堆积而成,在c 方向上为共价键,在a,b 两个方向通过范德华力堆积而成。
目的:评价浮针配合肌肉再灌注活动对轻中度膝骨关节炎的临床疗效。方法:选取轻中度膝骨关节炎患者70例,随机分为治疗组和对照组各35例,两组患者均接受基础康复治疗,治疗组进行浮针结合肌肉再灌注活动治疗,对照组采用毫针针刺治疗方案,观察两组治疗前后WOMAC量表评分及临床疗效的变化和差异。结果:在疗程结束时,两组WOMAC疼痛积分及总积分较治疗前均显著下降（P<0.05）:与对照组相比,治疗组治疗后WO