【摘 要】
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综述了近年来国内外低介电常数聚酰亚胺(PI)材料的制备方法,重点讨论了将介孔氧化硅、二氧化硅管、多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)的孔洞结构以及其他矿物材料引入聚酰亚胺体系
【机 构】
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中国地质大学(北京)材料科学与工程学院,北京 100083
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综述了近年来国内外低介电常数聚酰亚胺(PI)材料的制备方法,重点讨论了将介孔氧化硅、二氧化硅管、多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)的孔洞结构以及其他矿物材料引入聚酰亚胺体系制备低介电复合材料的制备方法和介电性能,并对低介电常数聚酰亚胺材料的发展前景进行了展望,指出将多孔材料添加到PI中,形成具有骨架结构的孔洞,所制备出的复合材料,具有较低介电常数的同时也有较好的力学性能,为低介电PI材料的制备提供了一条新思路.
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