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长波长氮化物LED的发光效率仍然达不到和蓝光相匹配的程度,这严重影响了无荧光粉单芯片白光LED的效率提高和应用.其中,发光量子阱中的空穴注入效率是制约长波长LED发光效率的关键因素之一.如何提高长波长LED量子阱的空穴注入效率是一项艰巨和充满挑战的任务.
一种利用耦合结构增强InGaN绿光量子阱LED发光的方法
【摘 要】
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长波长氮化物LED的发光效率仍然达不到和蓝光相匹配的程度,这严重影响了无荧光粉单芯片白光LED的效率提高和应用.其中,发光量子阱中的空穴注入效率是制约长波长LED发光效率的关键因素之一.如何提高长波长LED量子阱的空穴注入效率是一项艰巨和充满挑战的任务.
【机 构】
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中国科学院物理研究所,北京凝聚态国家实验室,北京100190
【出 处】
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第13届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2014年2期
其他文献
本报告介绍在InGaN/GaN MQWs LED中的一种新奇的波长和内量子效率关系.与传统结构相比,我们在生长每一层InGaN量子阱之前预沉积In原子.常温光致荧光谱(PL)显示随着预沉积时间的增加,LED波长向长波长方向移动;高分辨X射线衍射(HRXRD)数据表明新结构量子阱中的厚度几乎没有发生变化,但其In组分有稍微的增加,并且其晶体质量得到改善.
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高Al组分AlGaN材料作为新一代半导体材料,在深紫外的光谱响应具备传输信息密度高,传输速度快的特点,可满足现代高速和大容量信息传输和存储的发展需求,且具有高电子漂移速度、高热导性、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等突出优点,成为制备紫外短波长半导体发光和探测器件不可替代的材料体系.
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紫外线的消毒是经过百年验证的严肃科学结论.在上个世纪初1903年,丹麦科学家Niels Ryberg Finsen (1860-1904)发现了紫外线可以杀灭结核病毒,获得诺贝尔奖.经过科学家的深入研究,确认深紫外线可以将细菌的DNA或RNA基因链打碎,使其不可复制,从而达到杀菌的目的.
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近年来,随着GaN微波功率器件向实用化发展,GaN在高速数字和混和信号电路中的应用吸引了越来越广泛的关注,旨在充分发挥其高电子漂移速度和高击穿电压的优势,在保持高速性能的同时获得理想的电压摆幅[1].传统AlGaN/GaN异质结构中强极化效应和大导带偏移使其即使在未掺杂条件下也可获得面密度高达1013cm-2的二维电子气,成为本征的n沟道耗尽型(Depletion mode:D-mode)器件.
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毫米波具有波长短、频带宽等特点在高精度成像、大容量通信等领域具有重要的应用.基于半导体的固态电子器件具有体积小、可批量生产、易于集成等优点,在规模化应用方面具有很大的优势.毫米波电路对固态电子器件的频率特性提出了非常高的要求.InP基材料由于具有载流子迁移率高、能带易于剪裁等特点在毫米波甚至太赫兹领域极具优势.
会议
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会议
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会议
采用不同的制备手段,并通过控制反应条件可以对低维结构的材料进行调控生长,得到尺寸几个纳米的量子点以及几十至几百纳米的纳米线、纳米带、纳米丝,得到在平面内同质的ZB/WZ的ZnS纳米带超晶格.这些不同的纳米结构,表现出不同的光学性质,同时激子-声子耦合也出现不同的特征.
会议
近年来,以能带绝缘体LaAlO3/SrTiO3为代表的钙钛矿结构过渡金属复杂氧化物异质结得到广泛关注.该异质界面存在高迁移率的二维电子气(2DEG),而且表现出超导和铁磁等奇异输运特性.同时,在简单极性氧化物体系ZnMgO/ZnO界面的2DEG中也观察到自旋霍尔效应、电子有效质量增强和自旋极化等新颖现象[1-4].
会议