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封闭式热场对晶体纵向氧含量的影响
封闭式热场对晶体纵向氧含量的影响
来源 :1998年全国半导体硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:artec1
【摘 要】
:
该文生要研究封闭式热场(Close Hot Zone)对晶体纵向氧含量的影响。并与敞开式热场(Open Hot Zone)进行了比较,再通过适当调节熔料功率、埚位、埚转等工艺条件参数,拉制出Φ150mm低氧硅单晶(氧含量:20~28ppma)。
【作 者】
:
张向东
【机 构】
:
硅材料厂
【出 处】
:
1998年全国半导体硅材料学术会议
【发表日期】
:
1998年期
【关键词】
:
封闭式
热场
晶体
氧含量
条件参数
Open
硅单晶
敞开式
拉制
功率
工艺
调节
低氧
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该文生要研究封闭式热场(Close Hot Zone)对晶体纵向氧含量的影响。并与敞开式热场(Open Hot Zone)进行了比较,再通过适当调节熔料功率、埚位、埚转等工艺条件参数,拉制出Φ150mm低氧硅单晶(氧含量:20~28ppma)。
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