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硅片在生产加工过程中会产生崩边、边缘、隐裂等不良品，其中硅块的磨面、倒角环节是造成硅片隐裂等不良的主要原因之一。本文对比了两种不同的抛光工艺，即普通金刚石抛光和软刷磨面抛光工艺对硅块表面粗糙度及损伤层的影响。结果表明，不同的抛光工艺会产生不同的硅块的表面粗糙度及损伤层，而通过损伤层的厚度可以定量描述研磨工艺对硅块产生应力作用。由于较大的内应力容易造成硅决裂纹向内部延伸，从而导致崩边、边缘、隐裂片等不良品的产生，因此优化硅块的表面抛光工艺可以有效地减少后续切片工艺产生的隐裂片和裂片率。通过这一有效措施，切片的收率提高约3.47％，良率提高了约2.58％。