【摘 要】
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II-V族化合物由于具有比较窄的禁带宽度,在半导体材料研究中具有重要的意义.锌磷化合物系统中的二磷化三锌(Zn3P2)和二磷化锌(ZnP2)可以采用常压的方法合成并已经进行了较详细的研究.本文采用高压的方法合成出了锌磷化合物系统中的一个高征相--四磷化锌(ZnP4),研究了合成的高压反应区间,分析了获得高压相的反应过程.
【机 构】
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四川大学原子与分子物理研究所,四川成都610065
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II-V族化合物由于具有比较窄的禁带宽度,在半导体材料研究中具有重要的意义.锌磷化合物系统中的二磷化三锌(Zn3P2)和二磷化锌(ZnP2)可以采用常压的方法合成并已经进行了较详细的研究.本文采用高压的方法合成出了锌磷化合物系统中的一个高征相--四磷化锌(ZnP4),研究了合成的高压反应区间,分析了获得高压相的反应过程.
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