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采用磁控溅射的方法在柔性PI薄膜上生长出非晶GeSn薄膜,利用脉冲激光退火晶化为多晶GeSn薄膜.制备出了结晶性好,表面形貌较好且Sn偏析现象少的GeSn薄膜.
利用脉冲激光退火在柔性基底上制备多晶GeSn薄膜
【摘 要】
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采用磁控溅射的方法在柔性PI薄膜上生长出非晶GeSn薄膜,利用脉冲激光退火晶化为多晶GeSn薄膜.制备出了结晶性好,表面形貌较好且Sn偏析现象少的GeSn薄膜.
【机 构】
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厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,厦门 361005
【出 处】
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第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
【发表日期】
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2017年6期
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