【摘 要】
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静电屏蔽是设计电子器件时需要考虑的一个重要的技术问题。在纳米尺度，这个经典的静电学问题不仅与器件的几何特征有关，而且与器件材料的电子结构有关，在界面还涉及电子量子
【机 构】
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中山大学,物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室
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静电屏蔽是设计电子器件时需要考虑的一个重要的技术问题。在纳米尺度，这个经典的静电学问题不仅与器件的几何特征有关，而且与器件材料的电子结构有关，在界面还涉及电子量子态的细节。我们以纳米线和graphene为例，在电子结构模型的基础上计算静电屏蔽的深度和界面附近的感生电荷分布，并讨论其对场电子发射的影响。
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