【摘 要】
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本文针对器件尺寸进入纳米量级存在的问题，提出并完成了两种新结构MOS器件的研制。提出了新型垂直双栅器件，开发了一套与常规工艺基本兼容的工艺，制备得到了沟道长度为100nm的新型垂直双栅器件，关态电流可以达到10pA/μm，开关比达到2×106。首次提出了氢氦联合注入形成空洞层的新型制备技术，基于此，研制出了栅长为50nm的新型SOI器件，实现了SOI器件的“in-house”制备，器件泄漏电流在工
【出 处】
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中国科学院技术科学论坛第十、十一次学术报告会
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本文针对器件尺寸进入纳米量级存在的问题，提出并完成了两种新结构MOS器件的研制。提出了新型垂直双栅器件，开发了一套与常规工艺基本兼容的工艺，制备得到了沟道长度为100nm的新型垂直双栅器件，关态电流可以达到10pA/μm，开关比达到2×106。首次提出了氢氦联合注入形成空洞层的新型制备技术，基于此，研制出了栅长为50nm的新型SOI器件，实现了SOI器件的“in-house”制备，器件泄漏电流在工作电压下比体硅可以低两个数量级，开关比达到105。
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