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ZnO和SnO2压敏元件的电性能取决于晶界肖特基势垒。深能级瞬态谱仪(DLTS)是研究存在于肖特基势垒的电子态的一种有效工具。本文根据研究组的研究成果。对深能级瞬态谱仪及其在ZnO压敏元件添加物研究中的应用进行了介绍。深能级瞬态谱仪可探测到典型的ZnO压敏元件存在两个深陷阱能级L1和L2，分别位于Ec-0.15±0.01eV和Ec-0.25±0.01eV。添加三价Al或/和一价Ag会明显改变所探测到的深能级陷阱参数。结合电性能的测试结果，可推测L1陷阱能级与ZnO压敏元件非线性有关，而L2陷阱能级明显是与ZnO压敏元件的老化稳定性有关。L2陷阱能级可能对应着间隙Zn，L2陷阱密度与间隙Zn的浓度有关。