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本文通过蒙特卡洛模拟的方法,在充分考虑电子的震荡过程的基础上,对Zn掺杂浓度为5.3×1018cm-3的GaAs<100>进行模拟。结果表明,电子的选出角度在3度和13度各有一个峰值,这与实验结果吻合的很好。本文还将掺杂和激活工艺对电子逸出的影响进行了分析。
GaAs阴极逸出电子角度分布的模拟
【摘 要】
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本文通过蒙特卡洛模拟的方法,在充分考虑电子的震荡过程的基础上,对Zn掺杂浓度为5.3×1018cm-3的GaAs进行模拟。结果表明,电子的选出角度在3度和13度各有一个峰值,这与实验结
【机 构】
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华中科技大学 物理实验创新基地,湖北 武汉 430074
【出 处】
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第五届全国高等学校物理实验教学研讨会
【发表日期】
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2004年期
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