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采用常压烧结方法制备高致密度低电阻率的W-Ti 共掺杂ZnO 陶瓷靶材(WTZO)并研究了其相关特性;通过研究烧结温度(~800℃-1350℃)对WTZO 靶材微观结构和电学特性的影响,优化获得了最佳烧结曲线。所有实验靶材经烧结后为ZnO 纤锌矿结构,同时伴有微量ZnWO4 和Zn2TiO4 相生成;随着烧结温度升高,靶材的相对致密度呈现先增长后稳定的趋势,其最大值达到94.3%,而方块电阻呈现递减趋势,其最小值为12.18Ω/□。