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含Ge高硅原料(SiO25％～30％)采用NaOH浸出,以铅银合金板为阳极,不锈钢板为阴极进行直流电解.95％的Ge以GeO2被电解沉积于阳极泥中,Si的电解沉积率小于20％,电解废液用CaO脱硅返回浸出.
关于用电解法分离Ge、Si的研究
【摘 要】
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含Ge高硅原料(SiO25％～30％)采用NaOH浸出,以铅银合金板为阳极,不锈钢板为阴极进行直流电解.95％的Ge以GeO2被电解沉积于阳极泥中,Si的电解沉积率小于20％,电解废液用CaO脱硅返回浸出.
【机 构】
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贵州宏达环保科技有限公司
【出 处】
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第三届全国湿法冶金工程技术交流会
【发表日期】
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2015年4期
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