【摘 要】
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利用集成栅控CNT场发射阵列阴极的制造技术,研制了一种生长在Mo尖上的单根CNT场发射阵列阴极.高分辨率扫描电子显微镜照片表明,在一个11000发射单元的阵列中,大约50-70﹪的发射体是单根CNT.5×5CNTFEA阵列发射特性测量结果显示,栅极开启电压大约35V.栅电压100V时,阳极电流达到36μA,相当于每个孔发射电流1.4μA,电流密度为8.4A/cm2;而栅截获电流小于阳极电流的5﹪.
【机 构】
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北京真空电子技术研究所大功率微波器件技术国家重点实验室,北京,100016
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利用集成栅控CNT场发射阵列阴极的制造技术,研制了一种生长在Mo尖上的单根CNT场发射阵列阴极.高分辨率扫描电子显微镜照片表明,在一个11000发射单元的阵列中,大约50-70﹪的发射体是单根CNT.5×5CNTFEA阵列发射特性测量结果显示,栅极开启电压大约35V.栅电压100V时,阳极电流达到36μA,相当于每个孔发射电流1.4μA,电流密度为8.4A/cm2;而栅截获电流小于阳极电流的5﹪.栅极电压为92V时,11000发射单元阵列测量得到的阳极电流达到1.2mA,相当于电流密度0.57A/cm2;而栅极电流密度仅为阳极电流的3.3﹪。
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