【摘 要】
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采用二氧化硅胶体碱性抛光液对铌酸锂晶片进行化学机械抛光研究,讨论了抛光压力、转速、流速等工艺参数对材料去除率的影响.结果表明,铌酸锂晶片化学机械抛光去除率与抛光工
【机 构】
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河北工业大学,微电子研究所,天津,300130
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采用二氧化硅胶体碱性抛光液对铌酸锂晶片进行化学机械抛光研究,讨论了抛光压力、转速、流速等工艺参数对材料去除率的影响.结果表明,铌酸锂晶片化学机械抛光去除率与抛光工艺参数有着密切的关系.不降低表面质量,在抛光压力为140kPa,抛光液流速为180ml/min,抛光转速为60r/min时,可以得到较高的铌酸锂晶片抛光去除率和表面抛光效果.
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