高性能FeSe0.5Te0.5外延薄膜的研究

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：moovent_chrisx

【摘要】

：

我们利用脉冲激光外延(PLD)在CaF2(00l)基底上成功制备了高质量FeSe0.5Te0.5(FST)外延薄膜1.4.2 K 下,薄膜的输运Jc 自场下最高到1.36 MA/cm2,9 T 磁场中仍能保持0.97 MA/cm2,且薄膜表现出较低的各向异性(9 T 下,γ= JcH∥ab/JcH∥c=1.09),说明薄膜有非常弱的场相关性.此外,与其他研究工作相比,在薄膜与基底的界面间没有发现清

【作者】

：

徐中堂原蒲升张海涛王栋樑马衍伟张明李建奇孙月 Tsuyoshi Tamegai

【机构】

：

中国科学院电工研究所应用超导重点实验室,北京100190 中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家

【出处】

：

中国物理学会2016年秋季会议

【发表日期】

：

2016年5期

【关键词】

：

铁基超导体涡旋钉扎磁光超导薄膜脉冲激光外延

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