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该文提出了测量硅二维腐蚀速率分布图的一种新方法。该方法利用深反应离子刻蚀(ORIE)在硅片表面刻蚀出垂直于硅片表面的一系列晶面，利用显微镜直接测量各晶面的腐蚀速率，可以得到一个二维的腐蚀速率分布图。由于ORIE刻蚀出一晶面深达近百微米，可以得到较精确的结果。
硅二维腐蚀速率分布图的测试新方法
【摘 要】
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该文提出了测量硅二维腐蚀速率分布图的一种新方法。该方法利用深反应离子刻蚀(ORIE)在硅片表面刻蚀出垂直于硅片表面的一系列晶面，利用显微镜直接测量各晶面的腐蚀速率，可以得
【机 构】
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复旦大学电子工程系(上海)
【出 处】
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第六届全国敏感元件与传感器学术会议
【发表日期】
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1999年期
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