基于蒽并[2,3-c]噻吩半导体材料的分子设计与电荷传输性质预测

来源 :中国化学会第28届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wormchen

【摘要】

：

蒽并噻吩是一类具有广阔应用前景的p 型半导体材料,其功能化是发展高性能光电材料的有效手段之一[1,2]。本文采用密度泛函理论的B3LYP 方法,在6-31+G(d,p)//6-31G(d,p)基组水平上,研究了系列5,10 位取代的蒽并[2,3-c]噻吩衍生物的结构和电子性质,探讨了取代基对此类化合物前线轨道能级、电离能(IP)、电子亲和势(EA)及内重组能(λ)等性质的影响。

【作者】

：

赵蔡斌靳玲侠王文亮

【机构】

：

陕西省大分子科学重点实验室,陕西师范大学化学化工学院,陕西西安,710062 陕西省大分子科学重

【出处】

：

中国化学会第28届学术年会

【发表日期】

：

2012年10期

【关键词】

：

蒽并[2 3-c]噻吩分子设计电荷传输性质预测

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