【摘 要】
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采用电化学控电位沉积的方法，在镍基体上制备了(Bi1-XSbX)2(Te1-YSeY)3温差电材料薄膜。为了提高其结晶度及温差电性能，对制备的温差电材料进行523K退火2h处理。通过XRD、E
【机 构】
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天津大学化工学院应用化学系，天津300072
【出 处】
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天津大学2010年博士生论坛化工分论坛
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采用电化学控电位沉积的方法，在镍基体上制备了(Bi1-XSbX)2(Te1-YSeY)3温差电材料薄膜。为了提高其结晶度及温差电性能，对制备的温差电材料进行523K退火2h处理。通过XRD、ESEM、EDS等方法对电沉积薄膜的结构、形貌和组成进行了研究，并测试了在不同电位下制备的(Bi1-XSbX)2(Te1-YSeY)3薄膜的温差电性能。研究结果表明，在含有BI3+、HTeo2+、sbO+和HTe02+的溶液中，采用控电位沉积模式，可实现铋、锑、碲、硒四元共沉积，电沉积(Bi1-XSbX)2(Te1-YSeY)3薄膜的掺杂浓度对沉积电位敏感。采用控电位电沉积制备的温差电材料能达到的最人功率因子为0.48 mw·K-2-m，对应的薄膜材料组成为BIO.37Sb1.62Te2.88Se0.19。
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