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本文介绍了在改造过的国产MBE设备上使用NH<,3>作氮源,采用GS MBE分法在(00001)Al<,2>O<,3>衬底上生长出了高质量的GaN单晶外延膜.
氮化镓材料的MBE生长研究
【摘 要】
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本文介绍了在改造过的国产MBE设备上使用NH作氮源,采用GS MBE分法在(00001)AlO衬底上生长出了高质量的GaN单晶外延膜.
【机 构】
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中国科学院半导体研究所材料中心(北京)
【出 处】
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第六届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
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2001年6期
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