【摘 要】
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BiTe掺杂化合物及其衍生物是室温范围内性能最佳的温差电材料。随着微电子技术及MEMS技术的发展,微型温差电器件近年也得到快速发展,薄膜温差电材料的研究更是得到广泛关注.薄膜温差电材料的制备方法一般有化学法及物理法。其中,液相电化学沉积薄膜温差电材料的方法简单易操作、成本低,且可方便地通过调节电沉积参数以及镀液组成来控制材料的掺杂浓度及结晶状态,获得理想的晶体结构及化合物组成,因而具有更大的优势。
【机 构】
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天津大学化工学院应用化学系,天津,300072
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Bi<,2>Te<,3>掺杂化合物及其衍生物是室温范围内性能最佳的温差电材料。随着微电子技术及MEMS技术的发展,微型温差电器件近年也得到快速发展,薄膜温差电材料的研究更是得到广泛关注.薄膜温差电材料的制备方法一般有化学法及物理法。其中,液相电化学沉积薄膜温差电材料的方法简单易操作、成本低,且可方便地通过调节电沉积参数以及镀液组成来控制材料的掺杂浓度及结晶状态,获得理想的晶体结构及化合物组成,因而具有更大的优势。
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