【摘 要】
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本文给出了一种采用GaAs HBT工艺,可应用于宽带码分多址(W-CDMA)3G无线通信标准的功率放大器设计.偏置电路采用电容线性化技术,极大的提高了功率放大器的线性.后仿真显示,输入频率在1.95GHz处,功率增益为26.4 dB,P1dB为30.6 dBm,饱和输出功率为32 dBm.输出功率Pout为28 dBm时,功率附加效率PAE为41％;偏离中心频率5MHz的邻近通道功率抑制比ACPR
【机 构】
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杭州电子科技大学微电子CAD所,杭州,310018
【出 处】
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2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会
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本文给出了一种采用GaAs HBT工艺,可应用于宽带码分多址(W-CDMA)3G无线通信标准的功率放大器设计.偏置电路采用电容线性化技术,极大的提高了功率放大器的线性.后仿真显示,输入频率在1.95GHz处,功率增益为26.4 dB,P1dB为30.6 dBm,饱和输出功率为32 dBm.输出功率Pout为28 dBm时,功率附加效率PAE为41％;偏离中心频率5MHz的邻近通道功率抑制比ACPR1约为-36.1 dBc,偏离中心频率10MHz的次邻近通道功率抑制比ACPR2约为-52.2dBc.电路工作在3.4 V.
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