离子注入技术是一种行之有效的半导体掺杂技术.利用离子注入方法对半导体掺杂,在高温下退火激活杂质离子可形成高品质PN结.近年来,随着光伏行业的飞速发展,离子注入技术逐渐被引入晶硅太阳能电池制造过程.该技术的应用可以实现低表面浓度均匀掺杂并在退火过程中形成热氧钝化层,从而改善晶硅太阳能电池的蓝光响应,使得太阳能电池的光转换效率得以提高.在利用离子注入技术制作p-型156mm 单晶硅电池过程中,我们发现离子注入电池边缘漏电比较严重,同时会出现开路电压(Voc)分层现象.为此,我们对离子注入剂量和能量,退火工艺以及印刷工艺进行了大量的实验调整并解决了这些问题.实验结果表明,与传统磷扩散工艺相比,离子注入技术不仅可以改善电池的光转化效率,而且效率分布也比较集中,良率较高,最近在实验室内我们可以实现19％的平均光转化效率.