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该文首次建立了ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）的二维量子模型，此模型是基于薛定谔方程和泊松方程自洽求解。根据这个模型，他们计算得到了ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ ＨＥＭＴ沟道中二维电子浓度的分布。
毫米波InAlAs/InGaAs/InP HEMT沟道中电子的二维分布
【摘 要】
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该文首次建立了ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）的二维量子模型，此模型是基于薛定谔方程和泊松方程自洽求解。根据这个模型，他们计算得到了ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ ＨＥＭＴ沟道中二维电子浓度的分布。
【机 构】
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科学院半导体研究所(北京)
【出 处】
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第八届全国毫米波亚毫米波学术会议
【发表日期】
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1997年期
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