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介绍了利用物理气相沉积的技术制备有机物并五苯场效应晶体管(OTFT)的方法.通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)对并五苯薄膜的分析,发现并五苯薄膜具有良好的表面形貌和晶体特性.其载流子迁移率达0.3cm<2>/Vs,并五苯晶体管具有低电压特性.
低电压并五苯晶体管的制备
【摘 要】
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介绍了利用物理气相沉积的技术制备有机物并五苯场效应晶体管(OTFT)的方法.通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)对并五苯薄膜的分析,发现并五苯薄膜具有良好的表面形貌和晶体特性.其载流子迁移率达0.3cm/Vs,并五苯晶体管具有低电压特性.
【机 构】
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大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连理工大学物理系(辽宁大连)
【出 处】
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第五届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
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2004年10期
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