Ge-SiO2纳米半导体颗粒膜发光特性研究的新进展

来源 :国际材料科学与工程学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:FriedaCao
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
Ge-SiO2纳米半导体颗粒膜在发光、激光、光开关、光通信等方面的应用极为广泛.本文针对Ge-SiO2纳米半导体颗粒膜的发光特性,对Ge-SiO2纳米薄膜的制备技术、影响其发光特性的因素及其发光机理的新的研究进展进行了综述.
其他文献
本文对以(Ni/Al+Al)为底层,以Al2O3为工作层的陶瓷层,经后氧化处理得到的Al2O3涂层,在5%HCL内的腐蚀行为进行了研究,研究结果表明,后氧化Al2O3涂层的耐蚀性较一般Al2O3涂层提高2倍以上;后氧化处理使涂层内单质Al、Ni转变成Al、Ni的氧化物,从而改变涂层的成分和结构,改善了涂层的耐蚀性.
在本文中采用氨丙基三乙氧基硅烷,二异氰酸酯和二乙醇胺对介孔材料SBA-15表面进行了超支化接枝改性.利用小角X光衍射、低温氮气吸附、红外光谱(FTIR)、热重分析(TGA)等测试方法对超支化改性前后的样品进行了表征.为介孔材料表面改性提供了新的途径和依据.
本文研究了采用机械团聚法将微米级原始粉体(Fe2O3和Al)制成适于等离子喷涂的复合粉体,制备纳米涂层.试验表明:粉体中的Al含量影响体系的反应程度,发现Al含量增加尽管提高了粉体的反应程度,但Al含量过高会使涂层组织变得粗大;当Al含量为30wt%时,可得到较理想的涂层.通过对反应合成涂层的SEM和XRD检测发现:涂层具有复杂的相组成,形成了以层状FeAl2O4尖晶石和Al2O3陶瓷为基体、金属
采用反应等离子喷涂的方法在低碳钢基体上喷涂TiN涂层.利用X射线衍射仪分析了TiN涂层的物相、采用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对TiN涂层的组织结构进行了表征,测试了TiN涂层的显微硬度.研究发现,TiN涂层组织主要由TiN及少量的钛的氧化物组成,TiN涂层的晶粒为纳米和准纳米级.TiN涂层为典型的层状结构,TiN涂层的压痕形状规则,周围无开裂,TiN涂层的加工硬化程度随施加载荷的增大而降低,说
通过zwick万能拉伸仪对镀锌层进行单向搭接剪切实验,得到镀层的剪切强度,在扫描电镜下观察搭接镀层的横截面,发现镀层基本上整体与基体分离,采用EDS和X射线衍射对镀层剥离后试样断裂面进行定性分种析,发现断裂面上只有Γ1(Fe22Zn78)相和α-Fe相,这说明镀层剥离后,唯有Γ1相残留在基体表面,镀层断裂在Γ1相与基体的交界处.定量分析残留Γ1相,发现残留Γ1相的比例越大,镀层的剪切强度越高.
本文对ZL211A新型热强铝合金T5态的-70℃~300℃高温拉伸性能进行了测试,对显微组织进行了光学金相和透射电子显微镜分析,通过扫描电子显微镜观察了拉伸试样的断口.试验结果表明:随试验温度的升高,屈服强度和抗拉强度降低,相对延伸率先升后降再升高,250℃时最低.铸造状态的光学组织为沿晶界分布着网状的T(Al12Mn2Cu)相和θ(CuAl2)相,固溶处理后,晶界θ相溶解,而T相在α晶内呈颗粒状
通过混合盐法成功制备了原位自生TiB2颗粒增强ZL101复合材料.SEM观察结果显示,本研究制备的原位自生TiB2颗粒分布均匀,其最大尺寸在500nm左右,平均尺寸在200nm左右.高分辨透射电子显微镜观察结果显示颗粒与基体之间界面结合良好、干净,无任何杂质相的存在.力学性能测试结果表明,复合材料较基体合金抗拉强度提高了35MPa,屈服强度提高了42MPa,弹性模量提高了17GPa.材料的阻尼性能
理论计算表明,纳米Nd2Fe14B/α-Fe复合永磁材料的磁能积可高达400kJ/m3,有可能发展成为新一代永磁材料.但实际的纳米复合永磁材料的性能与理论值相差很大,主要原因就是材料的实际结构远没有达到理论模型的要求.熔体快淬法是制备纳米复合永磁材料较为有效的途径之一,用这种方法制备的材料磁性能与许多工艺参数有关,其中快淬速度Vr对组织与性能的影响最大.本文研究了快淬工艺和添加元素对Nd2Fe14
原位混合盐法制备的复合材料采用先进的调压铸造工艺成型,可获得高性能的复合材料制件.通过对重力和调压方法制备的TiB2颗粒增强ZL114复合材料试样的性能进行了比较,发现调压铸造方法制备的复合材料试样通过T6处理,性能可以达到:弹性模量大于87GPa,抗拉强度370MPa,屈服强度336MPa.本文对调压成型的工艺特点进行了分析,介绍了原位复合材料调压铸造所具有的独特优点,指出了复合材料调压成型的发
热处理是改善聚合物性能有效手段.本文将高分子PTC复合材料在某一温度下处理一定的时间后,再分别通过淬火处理、慢火处理、空气冷却等不同的处理方试进行处理,室温放置一定的时间后进行电气性能测试.结果表明:在低于基体熔融温度处理,能有效的降低材料的室温电阻;120℃热处理后PTC强度显著提高;处理温度高于基体熔融温度可以有效的缩短样品的动作时间,室温电阻是影响动作时间的重要因素.