【摘 要】
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Ge-SiO2纳米半导体颗粒膜在发光、激光、光开关、光通信等方面的应用极为广泛.本文针对Ge-SiO2纳米半导体颗粒膜的发光特性,对Ge-SiO2纳米薄膜的制备技术、影响其发光特性的因素及其发光机理的新的研究进展进行了综述.
【机 构】
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太原科技大学,太原,030024 太原科技大学,太原,030024;上海大学,上海,200072
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Ge-SiO2纳米半导体颗粒膜在发光、激光、光开关、光通信等方面的应用极为广泛.本文针对Ge-SiO2纳米半导体颗粒膜的发光特性,对Ge-SiO2纳米薄膜的制备技术、影响其发光特性的因素及其发光机理的新的研究进展进行了综述.
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在本文中采用氨丙基三乙氧基硅烷,二异氰酸酯和二乙醇胺对介孔材料SBA-15表面进行了超支化接枝改性.利用小角X光衍射、低温氮气吸附、红外光谱(FTIR)、热重分析(TGA)等测试方法对超支化改性前后的样品进行了表征.为介孔材料表面改性提供了新的途径和依据.
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