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本文利用非傍轴矢量矩理论，分析了940 nm InGaAs/AlGaAs 分别限制双量子阱(SCH DQW)激光器在垂直于p-n 结面方向上的光束质量因子2 M⊥。在以往的半导体激光器的光束质量因子的研究中，往往忽略了包层中光场的贡献，因而得到的2 M小于1 的结论。但是，当半导体激光器的有源层远小于波长时，大部分的光场将渗透到包层中，因此，包层中的光场在分析中是不可忽略的。本文给出非傍轴半导体激光2 M⊥的精确表达式，并通过实验表明，InGaAs/AlGaAs 激光器的2 M⊥大于1。