【摘 要】
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TiN薄膜制备的超导谐振器与铝膜谐振器相比,在低场下具有更高的无载品质因子,因而可用于超导量子比特样品的实验研究,提高其消相干时间.针对这一特性及应用要求,我们采用
【机 构】
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南京大学超导电子研究所,南京210093
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TiN薄膜制备的超导谐振器与铝膜谐振器相比,在低场下具有更高的无载品质因子,因而可用于超导量子比特样品的实验研究,提高其消相干时间.针对这一特性及应用要求,我们采用直流磁控溅射方法,在室温下开展了TiN薄膜的制备研究.在高阻硅基片上实验制备了不同溅射功率、溅射气压、以及溅射气体的N2与Ar比等条件下的TiN、薄膜样品,并对这些样品进行了低温R-T测量,X射线衍射(XRD)分析,原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)表面形貌分析.初步实验结果表明,TiN薄膜的Tc在2～5k,溅射功率、工作气压和气体流量比都对Tc有较大的影响.XRD分析给出了单一的TiN (111)衍射峰,表明薄膜晶粒具有较好的外延取向.样片表面平整光亮,AFM和SEM分析给出薄膜中,晶粒大小约为20纳米.TiN超导薄膜的成功制备为今后开展相关量子比特器件研究打下了一个良好的实验基础.
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